让被忽略的，成为可设计的。

1945 年，贝尔实验室的肖克利从原理出发，设想了一种固体放大器。一层很薄的半导体放在绝缘支撑上，上方平行放置一块金属板，两者构成电容。

金属板加上电压，半导体内可以自由运动的电子或空穴会在电场作用下涌向表面，薄层的导电能力随之改变。用微弱的信号控制金属板上的电压，就能控制流过半导体的电流。

按这个设想做成的样品，测不到预期的效应。巴丁给出了解释：半导体表面存在大量表面态，电场感应出的电荷被表面态俘获，无法参与导电。

研究表面态的实验，在 1947 年带来了点接触晶体管。直到 1959 年，热氧化使硅的表面态大幅减少，场效应晶体管才真正做成。

场效应的原理在 1945 年已经成立。此后十四年，难题一直在硅的表面。

半导体史上的许多重大突破，改变了问题本身的表述。

一个量长期被当作常数，工程师就只能在它限定的范围内优化。当它被写回方程、成为可以设计的变量，原先的限制随之解除。

1873 年，阿贝给出显微镜分辨率的理论。其中的数值孔径写作 NA = n·sinθ，n 是物镜与样品之间介质的折射率。

在空气中，n 等于 1。阿贝与蔡司用油替换空气，提高了 n，也提高了分辨率。

光刻沿用同样的关系式。几十年里，透镜与晶圆之间是空气，n 等于 1，业界主要依靠缩短波长提高分辨率。

2000 年代初，波长难以继续缩短。业界在透镜与晶圆之间加入水，n 从 1 提高到约 1.44，193 纳米光刻又延续了一代。

浸没光刻进入量产时，距离阿贝给出显微镜分辨率的理论，已经过去一百三十多年。

应变硅所依据的压阻效应，1954 年已有测量发表，约五十年后才用于晶体管。答案在很多时候早已存在。难处在于，要从大量默认成立的前提中，找出可以改变的那一个。

这需要同时看到几个学科。浸没来自显微镜，EUV 的多层膜反射镜来自软 X 射线光学，应变来自固体物理。

工艺创新可以分为参数性创新、组合式创新与原理性创新。参数性创新不改变工艺路线与机理，优化参数与工艺窗口；组合式创新用已知的工序与材料，组合出新的工艺路线；原理性创新引入新的物理或化学机理，改变问题的约束。

今天，我们提出 SemiNeo，系统化、规模化地产生组合式创新和原理性创新。